SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다. ⓒ SK하이닉스
SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다. ⓒ SK하이닉스

민주신문=박현우 기자|SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품 HBM3E를 세계 최초로 대규모 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다.

SK하이닉스는 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 고객사에 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 고객사는 미국 엔비디아로 알려졌다.

HBM은 D램을 여러 개 쌓아 속도를 높이고 전력 소비를 줄인 고성능 메모리 반도체다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

HBM은 인공지능(AI) 반도체를 구현하는 데 필수 요소로 꼽히며 수요가 급증하고 있다. SK하이닉스는 지난해 8월부터 HBM3E를 개발해왔다. SK하이닉스는 4세대 HBM인 HBM3를 엔비디아에 독점 공급하고 있다.

SK하이닉스는 HBM3E가 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 자신한다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리할 수 있다.

또, 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 칩 사이 공간에 특수 물질을 채워 넣어 붙이는 기술이다. 이 공정을 통해 효과적인 발열 제어가 가능할 것으로 보인다.

한편 삼성전자는 지난달 말 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E 12단 D램 개발에 성공했다고 발표했다. 해당 제품은 올 상반기에 양산한다는 계획이다.

미국 마이크론은 지난달 말 삼성전자, SK하이닉스보다 빠르게 HBM3E 양산을 선언하기도 했지만 실제 납품을 위한 대량 양산은 SK하이닉스가 더 빠른 모습이다.

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